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SAMSUNG MEMORY SSD 860 EVO mSata Series 1TB MZ-M6E1T0BW SATA III Basic (8801643076337)
SAMSUNG MEMORY SSD 860 EVO mSata Series 1TB MZ-M6E1T0BW SATA III Basic

SAMSUNG MEMORY SSD 860 EVO mSata Series 1TB MZ-M6E1T0BW SATA III Basic

SAMSUNG MEMORY SSD 860 EVO mSata Series 1TB MZ-M6E1T0BW SATA III Basic

214.70
CHF pro ST, inkl. MWST
Ab 20.12.2019 wieder lieferbar
Art-Nr 373925
Original Artikel-Nr: MZ-M6E1T0BW
EAN Code 8801643076337

Produktinformationen

  • Beschreibung

    EVO - mSATA - interne SSD

    Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen …

    EVO - mSATA - interne SSD

    Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

  • Verkaufs- und Verpackungseinheiten
    Verkaufseinheit ST
  • Spezifikationen
    Abmessungen 29.85 x 50.80 x 3.85 mm
    Bauhöhe 3.85 mm
    Datenübertragung (Lesen) 550 MB/s
    Abmessungen 29.85 x 50.80 x 3.85 mm
    Bauhöhe 3.85 mm
    Datenübertragung (Lesen) 550 MB/s
    Datenübertragung (Lesen)(Filter) 550 - 599 MB/s
    Datenübertragung (Schreiben) < 520 MB/s
    Datenübertragung (Schreiben)(Filter) 500 - 599 MB/s
    Formfaktor mSata
    Garantie 5 Jahre
    Gewicht 8.5 g
    Kapazität 1 TB
    Produkttyp Interne SSD
    Schnittstelle mSATA (mini-SATA / S-ATA 6 GB/s)
    Schnittstelle(Filter) mSATA
    Serie 860 Evo mSata
    S.M.A.R.T. Ja
    Speicherart V-NAND
    Stromverbrauch (aktiv) 4,3 W
    Trim Ja
    WWN Ja
    Zufälliges Lesen 97000 IOPS
    Zufälliges Schreiben 42000 IOPS

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